nce8290 транзистор чем заменить

Аналоги и замена зарубежных транзисторов

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов.

Замена импортных транзисторов отечественными

Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com

Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:

Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.

Максимальные параметры транзистора из даташита:

Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:

После отправки формы было получено 15 результатов:

В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).

Источник

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

На что нужно обратить внимание

Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).

Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.

Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора

При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде. Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой. Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник. Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.

Источник

Как подобрать аналог полевого транзистора?

Сразу оговоримся, что речь пойдет о подборе аналогов N-канальных, «logic-level», полевых транзисторов которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. Logic-level, в данном случае, означает, что речь идет о приборах которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход Drain to Source, при приложении с затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения.

Содержание

Как может выглядеть полевый транзистор

Как правило на место прибора в корпусе D²PAK без проблем ставиться аналогичный но в корпусе DPAK.

При определенной сноровке можно на посадочное место под DPAK «раскорячить» D²PAK, хотя выглядеть будет не эстетично.

LFPAK естественно без проблем меняется на SO-8 с одним N-канальным транзистором, и наоборот.

В остальных случаях необходимо подбирать прибор в полностью аналогичном корпусе.

Где может использоваться полевый транзистор

Выше мы договорись что рассматриваем только подсистему питания, посему вариантов немного:

Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим оную на примере. Пускай, у нас есть 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds)

20A. Буковка N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке полевика Rds, а не максимальный ток.

Основные характеристики N-канального полевого транзистора

В общем различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

Хочу обратить внимание что параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

Степень критичности параметров в разных применениях

Источник

Справочник по MOSFET транзисторам

N-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

Корпуса для поверхностного монтажа

20V, 4A, 43 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

20V, 6.4A, 21 mOhm, 8 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

25V, 5.7A, 24 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23

30V, 2.7A, 100 mOhm, 1.0 nC Qg, SOT-23

30V, 5.2A, 27 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23

30V, 3.3A, 77 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

30V, 6.3A, 34 mOhm, 7.5 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

40V, 3.6A, 56 mOhm, 2.6 nC Qg, SOT-23

60V, 1.2A, 460 mOhm, 0.4 nC Qg, SOT-23

60V, 2.7A, 92 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23

100V, 1.6A, 220 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20V, 8.5A, 11.7 mOhm, 14 nC Qg, 2.5V drive capable

25V, 8.5A, 13 mOhm, 4.3 nC Qg

30V, 8.5A, 16.2 mOhm, 11nC Qg, 2.5V drive capable

30V, 8.5A, 16 mOhm, 4.2 nC Qg

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20V, 40A, 2.5 mOhm, 52 nC Qg, 2.5V drive capable

30V, 16A, 7.1 mOhm, 9.6 nC Qg

30V, 12A, 12.4 mOhm, 5.4 nC Qg

30V, 24A, 7.8 mOhm, 7.3 nC Qg

30V FETky, 40A, 4.3 mOhm, 13 nC Qg

30V, 40A, 3.8 mOhm, 15 nC Qg

30V, 40A, 3.5 mOhm, 41 nC Qg, 2.5V drive capable

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20V, 20A, 4.4 mOhm, 22 nC Qg, SO-8

25V, 25A, 2.7 mOhm, 35 nC Qg, SO-8

20V, 27A, 2.45 mOhm, 130 nC Qg, 2.5V drive capable

30V, 8.5A, 21mOhm, TSOP-6

30V, 11A, 11.9 mOhm, 6.2 nC Qg, SO-8

30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, SO-8

30V, 14A, 8.5 mOhm, 8.3 nC Qg, SO-8

30V, 18A, 4.8 mOhm, 17 nC Qg, SO-8

30V, 21A, 3.5 mOhm, 20 nC Qg, SO-8

30V, 21A, 3.3 mOhm, 30 nC Qg, SO-8

30V, 24A, 2.8 mOhm, 44 nC Qg, SO-8

30V, 9.9A, 14.6 mOhm, 11 nC Qg, 2.5V drive capable

30V, 8.5A, 20mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6

40V, 18A, 5 mOhm, 33 nC Qg, SO-8

60V, 12A, 9.4 mOhm, 26 nC Qg, SO-8

80V, 9.2A, 15 mOhm, 31 nC Qg, SO-8

80V, 10A, 13.4 mOhm, 27 nC Qg, SO-8

100V, 7.3A, 22 mOhm, 34 nC Qg, SO-8

100V, 8.3A, 18 mOhm, 28 nC Qg, SO-8

150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8

150V, 5.1A, 43 mOhm, 25 nC Qg, SO-8

200V, 3.7A, 79 mOhm, 39 nC Qg, SO-8

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20
—
25 В

20V, 100A, 1.2 mOhm, 155 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6

20V, 50A, 3.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6

25V, 51A, 6 mOhm, 7 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6

25V, 100A, 1.15 mOhm, 52 nC Qg, PQFN 5×6

25V FETky, 100A, 1.4 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6

30 В

30V, 16A, 13 mOhm, 4.7 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 25A, 9 mOhm, 7.1 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 44A, 8.1 mOhm, 7.8 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 25A, 6.6 mOhm, 9.3 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 25A, 5 mOhm, 15 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 79A, 4.5 mOhm, 16 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 82A, 4.2 mOhm, 15 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6

30V, 50A, 4.1 mOhm, 14 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 50A, 3.1 mOhm, 19 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 50A, 2.1 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 100A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, PQFN 5×6

30V FETky, 100A, 2.5 mOhm, 26 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 100A, 1.85 mOhm, 37 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 100A, 1.4 mOhm, 50 nC Qg, PQFN 5×6

40 В

40V, 100A, 4.3 mOhm, 42 nC Qg, PQFN 5×6

40V, 100A, 3.5 mOhm, 53 nC Qg, PQFN 5×6

40V, 100A, 2.6 mOhm, 73 nC Qg, PQFN 5×6

60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5×6

60V, 89A, 6.7 mOhm, 40 nC Qg, PQFN 5×6

60V, 100A, 5.6 mOhm, 50nC Qg, PQFN 5×6

60V, 100A, 4.1 mOhm, 67 nC Qg, PQFN 5×6

75V, 75A, 8.5 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6

75V, 71A, 9.6 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6

75V, 100A, 5.9 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6

100 В

100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6

100V, 63A, 12.4 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6

100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6

150 В

150V, 27A, 58 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6

150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6

200 В

200V, 20A, 100 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6

200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6

250 В

250V, 31A, 104 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6

25 В

25V, 39A, 7.8 mOhm, 8.1 nC Qg, Small Can

25V, 37A, 5.9 mOhm, 8.8 nC Qg, Small Can

25V, 68A, 4.9 mOhm, 13 nC Qg, Small Can

25V, 95A, 3.0 mOhm, 21 nC Qg, Small Can

25V, 166A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, Med Can

25V, 180A, 1.6 mOhm, 40 nC Qg, Med Can

25V, 180A, 1.6 mOhm, 39 nC Qg, Med Can

25V, 220A, 1.25 mOhm, 46 nC Qg, Med Can

25V, 160A, 1.8 mOhm, 35 nC Qg, Med Can

25V, 210A, 1.4 mOhm, 45 nC Qg, Med Can

25V, 270A, 0.7 mOhm, 64 nC Qg, Large Can

30 В

30V, 35A, 8.0 mOhm, 7.9 nC Qg, Small Can

30V, 36A, 8.9 mOhm, 6.6 nC Qg, Small Can

30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual

30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual

Источник

Nce8290 транзистор чем заменить

добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание

G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более

Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).

Материнская плата Gigabyte S775 P35 FSB1333
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна

Можно, если транзисторы одинаковые и из одной партии, в схемотехнике компьютеров нередко это используется, как в линейных так и в импульсных источниках.
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.

Спасибо, просто вариантов быстро купить небыло, пришлось импровизировать, уже стоят родные

Проверка битых полевых транзисторов,нашёл видео-http://www.youtube.com/watch?v=x5oG6XOVBKs
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.

Скорее всего так и было. только ГП греется не цензурно сильно,он крякнул.

Я профи ремонтом не занимаюсь,друг б/у торгует,вот и чиню что могу,но полевик у другой видюхи я вычичлил как на видео,поставил со старой видеокар.,но наверное драйвер(GP5201BQ,если правильно прочитал,видно плохо) не фурычит, а может он и спалил этот полевик(090H03L),поменял на APM 2512N(с другой видюхи),не стартует мамка.Только опыт в карман положу,а видюхю в коробку .

Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще

Красота. А чё тогда не КТ315А туда поставить? Вместо 80А STripFET™ III Power MOSFET? Вот после таких вот *лять ко мне и приходят ужаренные ноуты и видеокарты, с жуками вместо smd фузов, пробитыми в дыру полевиками и ковырянные 25Вт паяльником 12ти слойные платы.

Ещё вопрос на засыпку,звонятся на коротко D и S в мосфетах на этой видюхе FORCE 30 HD 4830, I же в схеме идёт через ГПу по питанию,значит должно быть сопротивление,а тестер пищит(я полевики не выпаивал),значит пробит(прогорел) канал?Или в схеме так и должно,хотя два из них(9шт) не пищит тестер..Я думаю что им усё уже.

Сообщение Администрации :
Удалено	Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5	Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе	павлик 22 писал: Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе мне надо найти аналог	Что на них написано?	я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например)	Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался? стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды.	IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31 LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32 FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог Элемент U19. Маркировка: J B- DEQ34 фото микрухи: Заранее Всем спасибо за содействие![/b]	Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер?	Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты	Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума. Элемент U19. Маркировка: J B- DEQ34 фото микрухи:

Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb

Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3

Это RT9166 SOT-89 2.5V 0.3A Ultra-Fast Transient Response LDO Regulator

Всем привет!
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?

Добрый день подскажите аналог транзистора 70r900pek6450ygp.

Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы

Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.

musik,
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб

исток обычно справа снизу если читать надпись

Я сослепу вместо «m/b ws» посадил «power led» и получил то что получил,но после правильной установки концов все равно все работало еще дня три,потом кнопка включения перестала реагировать но и при этом я путем легкого шевеления остатков обгоревшего транзистора запускал ПК
Но и это тоже дня через два закончилосью

Помогите определить что это и каковы его функции

Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор

Всех с новым годом.
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.

ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23

Помогите найти аналог транзисторов

ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24

чем заменить 9412bgm

Источник