s8550 транзистор чем заменить
Транзисторы S8550, SS8550
S8550 и SS8550 — биполярные транзисторы c PNP структурой на кремниевой основе. Конструктивное исполнение – TO-92.
Характеристики этих транзисторов практически идентичны, кроме следующих значений:
Корпус, цоколевка и размеры
Предназначение
Транзисторы S8550 и SS8550 применяются в схемах для стандартных коммутационных и усилительных функций. Одно из распространённых применений — использование в двухтактной конфигурации в усилителях.
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Для эксплуатации при температуре 25 °C. Кроме температурных характеристик.
| Характеристика | Обозначение | S8550 | SS8550 |
|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение коллектор-база | VCBO | 40 В DC | 40 В DC |
| Граничное напряжение транзистора | VCEO | 25 В DC | 25 В DC |
| Пробивное напряжение эмиттер-база | VEBO | 5 В DC | 6 В DC |
| Максимальный ток коллектора | IC | 0.5 A DC | 1.5 A DC |
| Рассеиваемая мощность | PC | 0.625 Вт | 1 Вт |
| Максимальная температура при переходе | TJ | +150 °C | +150 °C |
| Максимальная температура при хранении | Tstg | От –65 до +150 °C | От –65 до +150 °C |
Электрические параметры
Для эксплуатации при температуре 25 °C
Классификация
Транзисторы разделяется на несколько классов по усилению (коэффициенту передачи тока):
Комплементарная пара
Для транзистора S8550 в качестве комплементарной пары выступает NPN транзистор S8050. Для транзистора SS8550 в качестве комплементарной пары выступает NPN транзистор SS8050.
Аналоги
| Тип | Uce | Ucb | Ueb | Ic | Pc | hfe | ft |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Оригинал | |||||||
| S8550 | 25 В | 40 В | 5 В | 0.5 А | 0.625 Вт | 85..300 | 150 МГц |
| SS8550 | 25 В | 40 В | 6 В | 1.5 А | 1 Вт | 85..300 | 100 МГц |
| Зарубежное производство | |||||||
| 2SA708 | 60 В | 80 В | 8 В | 0.7 А | 0.8 Вт | 40..400 | 30 МГц |
| KSA709 | 0.8 Вт | 70..400 | 50 МГц | ||||
| MPS4354 | 60 В | 60 В | 5 В | 1 А | |||
| PN4354 | 60 В | 60 В | 5 В | 0.5 А | 0.625 Вт | 50..500 | 500 МГц |
| 25 В | 40 В | 6 В | 1.5 А | 0.625 Вт | 85..300 | 200 МГц | |
| BD140 | 80 В | 100 В | 5 В | 1.5 А | 12.5 Вт | 40..250 | — |
| Российский аналог | |||||||
| КТ814Г | 100 В | 100 В | — | 1.5 А | До 10 Вт | 30-275 | 3 МГц |
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производитетей.
Основные графические характеристики
Рис.1. Область безопасной работы транзистора (а – для S8550, б – для SS8550).
Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC (а – для S8550, б – для SS8550).
Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC (а – для S8550, б – для SS8550).
Рис 4. Зависимость граничной частоты транзистора от тока на коллекторе (а – для S8550, б – для SS8550).
Рис 5. Зависимость тока коллектора от напряжения на переходе база-эмиттер для транзистора SS8550.
Рис 6. Выходная емкость коллектора для транзистора SS8550.
Характеристики и аналоги транзистора S8550
S8550 этот усилительный кремниевый транзистор применяется для обеспечения усиления и коммутации. Производиться в корпусе из пластика (TO-92). Оснащён гибкими выводами в исполнении smd или по другому SOT-23.
Отличается от прочих устройств техническими характеристиками:
Распиновка
Цоколевка корпуса (To-92) этого транзистора имеет следующий вид:
Основные характеристики s8550
п/п
Расшифровка указанных в таблице обозначений:
Приставка «и» в скобках указывает на импульсный характер токов.
Электрические характеристики (TA = 25 ° C, если не указано иное)
Отражают токовые характеристики функционирования устройства, при которых оно будет работать в нормальном режиме.
| Параметры | Условное обозначение | Условия испытаний | Мин | Тип | Макс | Унит |
| Напряжение пробоя коллектор-база | BVCBO | IC =-100μA, IE =0 | -30 | V | ||
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | BVCEO | IC =-1mA, IB =0 | -20 | V | ||
| Напряжение пробоя эмиттер-база | BVEBO I | IE =-100μA, IC =0 | -5 | V | ||
| Ток отключения коллектора | ICBO | VCB =-30V, IE =0 | -1 | μA | ||
| Ток отключения эмиттера | IEBO | VEB =-5V, IC =0 | -100 | nA | ||
| Коэффициент усиления постоянного тока | hFE1 | VCE =-1V, IC =-1mA | 100 | |||
| hFE2 | VCE =-1V, IC =-150mA | 120 | 400 | |||
| hFE3 | VCE =-1V, IC =-500mA | 40 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(SAT) | IC =-500mA, IB =-50mA | -0.5 | V | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | VBE(SAT) | IC =500mA, IB =-50mA | -1.2 | V | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | VBE | VCE =-1V, IC =-10mA | -1.0 | V | ||
| Продукт с коэффициентом усиления по текущему каналу | fT | VCE =-10V, IC =-50mA | 100 | MHz | ||
| Выходная емкость | Cob | 9.0 | pF |
Тепловые характеристики
Обозначают термические условия функционирования устройства, при которых оно не будет подвержено деформациям и его работа не измениться.
| Уровень перехода | TJ | 150 | °C |
| Уровень хранения | TSTG | -65АналогиРоссийских аналогов s8550 отыскать не удалось, но заменить его можно зарубежными транзисторами: ПроизводителиВыпускают его ниже указанные компании: S8550 транзистор чем заменитьхочу просить пинка в нужную сторону |
BOB51  | ||||
Карма: 88 |
| |||
| ||||
| _RUS73_ | ||||
Карма: 22 |
| |||
| ||||
| truckmanspb | |||
Зарегистрирован: Пн апр 06, 2015 11:14:58 |
| ||
| |||
| ublhjnt | ||||
Карма: 31 |
| |||
| ||||
| m.ix | ||||||||||
Карма: 52 |
| |||||||||
| ||||||||||
| BOB51 | ||||
Карма: 88 |
| |||
| ||||
| _RUS73_ | ||||
Карма: 22 |
| |||
| ||||
| truckmanspb | |||
Зарегистрирован: Пн апр 06, 2015 11:14:58 |
| ||
| |||
| ublhjnt | ||||
Карма: 31 |
| |||
| ||||