s8550 транзистор чем заменить

Транзисторы S8550, SS8550

S8550 и SS8550 — биполярные транзисторы c PNP структурой на кремниевой основе. Конструктивное исполнение – TO-92.

Характеристики этих транзисторов практически идентичны, кроме следующих значений:

Корпус, цоколевка и размеры

Предназначение

Транзисторы S8550 и SS8550 применяются в схемах для стандартных коммутационных и усилительных функций. Одно из распространённых применений — использование в двухтактной конфигурации в усилителях.

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

Для эксплуатации при температуре 25 °C. Кроме температурных характеристик.

Характеристика	Обозначение	S8550	SS8550
Пробивное напряжение коллектор-база	V_CBO	40 В DC	40 В DC
Граничное напряжение транзистора	V_CEO	25 В DC	25 В DC
Пробивное напряжение эмиттер-база	V_EBO	5 В DC	6 В DC
Максимальный ток коллектора	I_C	0.5 A DC	1.5 A DC
Рассеиваемая мощность	P_C	0.625 Вт	1 Вт
Максимальная температура при переходе	T_J	+150 °C	+150 °C
Максимальная температура при хранении	T_stg	От –65 до +150 °C	От –65 до +150 °C

Электрические параметры

Для эксплуатации при температуре 25 °C

Классификация

Транзисторы разделяется на несколько классов по усилению (коэффициенту передачи тока):

Комплементарная пара

Для транзистора S8550 в качестве комплементарной пары выступает NPN транзистор S8050. Для транзистора SS8550 в качестве комплементарной пары выступает NPN транзистор SS8050.

Аналоги

Тип	U_ce	U_cb	U_eb	I_c	P_c	h_fe	f_t
Оригинал
S8550	25 В	40 В	5 В	0.5 А	0.625 Вт	85..300	150 МГц
SS8550	25 В	40 В	6 В	1.5 А	1 Вт	85..300	100 МГц
Зарубежное производство
2SA708	60 В	80 В	8 В	0.7 А	0.8 Вт	40..400	30 МГц
KSA709	0.8 Вт	70..400	50 МГц
MPS4354	60 В	60 В	5 В	1 А
PN4354	60 В	60 В	5 В	0.5 А	0.625 Вт	50..500	500 МГц
25 В	40 В	6 В	1.5 А	0.625 Вт	85..300	200 МГц
BD140	80 В	100 В	5 В	1.5 А	12.5 Вт	40..250	—
Российский аналог
КТ814Г	100 В	100 В	—	1.5 А	До 10 Вт	30-275	3 МГц

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производитетей.

Основные графические характеристики

Рис.1. Область безопасной работы транзистора (а – для S8550, б – для SS8550).

Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE транзистора от величины коллекторной нагрузки I_C (а – для S8550, б – для SS8550).

Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C (а – для S8550, б – для SS8550).

Рис 4. Зависимость граничной частоты транзистора от тока на коллекторе (а – для S8550, б – для SS8550).

Рис 5. Зависимость тока коллектора от напряжения на переходе база-эмиттер для транзистора SS8550.

Рис 6. Выходная емкость коллектора для транзистора SS8550.

Источник

Характеристики и аналоги транзистора S8550

S8550 этот усилительный кремниевый транзистор применяется для обеспечения усиления и коммутации. Производиться в корпусе из пластика (TO-92). Оснащён гибкими выводами в исполнении smd или по другому SOT-23.

Отличается от прочих устройств техническими характеристиками:

Распиновка

Цоколевка корпуса (To-92) этого транзистора имеет следующий вид:

Основные характеристики s8550

п/п Параметр/транзистор S8550B, 40 S8550С,40 S8550D,40 1 Uкбо(и),В 25 25 25 2 Pкmax(т), Вт 0.625 0.625 0.625 3 Iкmax(и), А 0,5 0,5 0,5 4 h21э 85-160 120-200 160-300 5 fгр., МГц 150 150 150

Расшифровка указанных в таблице обозначений:

Приставка «и» в скобках указывает на импульсный характер токов.

Электрические характеристики (TA = 25 ° C, если не указано иное)

Отражают токовые характеристики функционирования устройства, при которых оно будет работать в нормальном режиме.

Параметры	Условное обозначение	Условия испытаний	Мин	Тип	Макс	Унит
Напряжение пробоя коллектор-база	BVCBO	IC =-100μA, IE =0	-30	V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	BVCEO	IC =-1mA, IB =0	-20	V
Напряжение пробоя эмиттер-база	BVEBO I	IE =-100μA, IC =0	-5	V
Ток отключения коллектора	ICBO	VCB =-30V, IE =0	-1	μA
Ток отключения эмиттера	IEBO	VEB =-5V, IC =0	-100	nA
Коэффициент усиления постоянного тока	hFE1	VCE =-1V, IC =-1mA	100
	hFE2	VCE =-1V, IC =-150mA	120	400
	hFE3	VCE =-1V, IC =-500mA	40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE(SAT)	IC =-500mA, IB =-50mA	-0.5	V
Напряжение насыщения база-эмиттер	VBE(SAT)	IC =500mA, IB =-50mA	-1.2	V
Напряжение насыщения база-эмиттер	VBE	VCE =-1V, IC =-10mA	-1.0	V
Продукт с коэффициентом усиления по текущему каналу	fT	VCE =-10V, IC =-50mA	100	MHz
Выходная емкость	Cob	9.0	pF

Тепловые характеристики

Обозначают термические условия функционирования устройства, при которых оно не будет подвержено деформациям и его работа не измениться.

Уровень перехода

150

°C

Уровень хранения

TSTG

-65

Аналоги

Российских аналогов s8550 отыскать не удалось, но заменить его можно зарубежными транзисторами:

Производители

Выпускают его ниже указанные компании:

Источник

S8550 транзистор чем заменить

хочу просить пинка в нужную сторону

BOB51

Друг Кота

Карма: 88
Рейтинг сообщений: 1092
Зарегистрирован: Вт мар 16, 2010 22:02:27
Сообщений: 12570
Откуда: ДОНЕЦК (ЮГО-ВОСТОК ua/DPR)
Рейтинг сообщения: 0

Зарегистрируйтесь и получите два купона по 5$ каждый:https://jlcpcb.com/cwc

_RUS73_

Мудрый кот

Карма: 22
Рейтинг сообщений: 268
Зарегистрирован: Ср май 26, 2010 14:41:09
Сообщений: 1722
Откуда: УССР, Одесская обл.
Рейтинг сообщения: 0

_________________
Философская мудрость века настоящего, становится всеобщим здравым смыслом века последующего.

truckmanspb

Родился

Зарегистрирован: Пн апр 06, 2015 11:14:58
Сообщений: 8
Рейтинг сообщения: 0

там видимо из соображений экономии эти транзисторы стоят т.к. мощность потребляемая остановленным двигателем явно больше 2 ватт

почитаю еще всякого..

Критически важные распределенные системы требуют синхронного преобразования во всех подсистемах и непрерывного потока данных. Распределенные системы сбора данных могут быть синхронизированы как на основе АЦП последовательного приближения, так и на основе сигма-дельта (∑-Δ)-АЦП. Новый подход, основанный на преобразователе частоты дискретизации (SRC), содержащемся в микросхемах линейки AD7770 производства Analog Devices, позволяет достигать синхронизации в системах на основе сигма-дельта-АЦП без прерывания потока данных.

ublhjnt

Друг Кота

Карма: 31
Рейтинг сообщений: 129
Зарегистрирован: Вт мар 02, 2010 17:05:19
Сообщений: 4446
Откуда: Белоруссия, Минск
Рейтинг сообщения: 0

_________________
Всё можно наладить,если вертеть в руках достаточно долго!

Специалисты компании Infineon рассказывают о сорокалетней истории технологических инноваций, последовавшей за созданием первого полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET), и на примере последних новшеств, касающихся расположения кристалла относительно печатной платы, показывают, как незначительные на первый взгляд изменения способны кардинально поменять характеристики прибора и разрабатываемых на его основе систем.

m.ix

Друг Кота

Карма: 52
Рейтинг сообщений: 846
Зарегистрирован: Вт сен 07, 2010 03:01:06
Сообщений: 16548
Откуда: Moscow-Izmaylovo
Рейтинг сообщения: 0

_________________
Лечу лечить WWW ашу покалеченную технику.

Источник

S8550 транзистор чем заменить

ДОБАВЛЕНО 07/05/2008 13:42

3102 пробововал,без вариантов

Сдается, что не о том ключе речь, или не о том транзисторе.

Если уж нужен близкий «наш» аналог именно для 8050, то я бы выбирал из кт3117 или кт645 (они уж во всяком случае хоть что-то будут усиливать при токе 0,2-0,3 А, в отличие от кт502, кт503, и уж тем более от кт602 и кт604), а то и кт815/817, если разный корпус не проблема (полный аналог был заявлен среди каких-то из кт61хх, однако живьем мне так никогда и не попадался), хотя не знаю как у вас, а у нас и сам буржуйский оригинал уже дешевле всех этих аналогов стоит.

Только вот зачем такой транзистор в проводном телефоне, где напряжения в линии от 60 В и выше (при поступлении вызова), а токи всего несколько десятков миллиампер?

KRAB писал:

— а для этого отбраковка на стенде по Uкэ при лавинном пробое. Живут по сей день.

KRAB, если не сложно, ссылочку на схему стенда, или свою схему можно? Может к ней и пару слов об особенностях.
— Спасибо.

KAT666 писал:

работат как ключ в проводном телефоне

ДОБАВЛЕНО 07/05/2008 13:42

3102 пробововал,без вариантов

Ставлю ЖИРНУЮ ДВОЙКУ за знания и за введения в заблуждение, с каких это пор транзистор S8050 стал n-p-n проводимости. читай даташит здесь http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/33773/WINGS/S8050.html[/url]

Источник

S8550 транзистор чем заменить

хочу просить пинка в нужную сторону

BOB51

Друг Кота

Зарегистрируйтесь и получите два купона по 5$ каждый:https://jlcpcb.com/cwc

_RUS73_

Мудрый кот

_________________
Философская мудрость века настоящего, становится всеобщим здравым смыслом века последующего.

truckmanspb

Родился

Зарегистрирован: Пн апр 06, 2015 11:14:58
Сообщений: 8
Рейтинг сообщения: 0

почитаю еще всякого..

ublhjnt

Друг Кота

_________________
Всё можно наладить,если вертеть в руках достаточно долго!

m.ix

Друг Кота

_________________
Лечу лечить WWW ашу покалеченную технику.

Источник