otp memory что это
Современные микросхемы памяти. Часть 1
Все статьи цикла:
Введение
Подсистемы памяти являются неотъемлемой частью практически всех современных устройств вычислительной техники, за исключением, пожалуй, некоторых малых контроллеров. В настоящее время в мире насчитывается более ста производителей тех или иных микросхем памяти. Существуют фирмы, которые специализируются на выпуске только микросхем памяти, однако множество фирм выпускают микросхемы памяти наряду с другой продукцией. Настоящая статья призвана ознакомить читателя с современной терминологией в области подсистем памяти, основными разновидностями микросхем памяти, их особенностями, наиболее известными и крупными производителями микросхем и их продукцией.
Основные понятия
Для лучшего понимания состояния рынка современных микросхем памяти следует ознакомиться с основной общепринятой терминологией в этой области:
RAM (Random Access Memory) — оперативная память с произвольным доступом;
ROM (Read Only Memory) — постоянная память;
NVM (Non-Volatile Memory) — обычно термин используется для обозначения семейства ROM, в которое входят ROM, OTP, EPROM, EEPROM, Flash, NV-RAM;
Flash (Flash RAM, FRAM) — особый тип памяти, допускающей операции чтения и записи при рабочих напряжениях (обычно 5 В, для более ранних микросхем запись при 12 В), которые сохраняют содержимое при отсутствии питания за счет оригинальной структуры запоминающей ячейки;
NV-RAM (Non-Voltage RAM) — особый вид RAM, которая может сохранять свое содержимое при отсутствии питания либо за счет особенностей изготовления запоминающей ячейки, либо за счет наличия встроенной в микросхему или модуль литиевой батарейки;
OTP (Once programmed memory) — память, однократно программируемая потребителем;
EPROM (Electrically Programmable ROM) — электрически программируемая постоянная память;
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) — электрически стираемая и программируемая постоянная память;
SRAM (Static RAM) — статическая память с произвольным доступом;
DRAM (Dynamic RAM) — динамическая память с произвольным доступом;
TK-RAM (Timekeeping RAM) — память с произвольным доступом, в которой часть ячеек заменена на регистры, в которые автоматически выводятся данные от встроенных часов реального времени (RTC), календаря и т. п. Обычно выпускается либо со встроенной литиевой батарейкой, либо со входом для подключения внешней батарейки, либо с конструктивно совмещенным (в корпусе микросхемы) держателем для внешней батарейки;
RTC (Real Time Clock) — таймер реального времени;
Parallel (Access) Memory (RAM, Flash…) — память с параллельным доступом;
Serial (Access) Memory (RAM, Flash…) — память с последовательным доступом.
Кроме приведенных выше общепринятых терминов в специальной литературе и документации фирм-производителей встречается еще множество других, с которыми мы познакомим читателя по мере необходимости.
Названия наиболее известных производителей микросхем памяти, их Internet-адреса и выпускаемые типы микросхем памяти приведены в табл. 1.
Очевидно, что в рамках одной статьи ознакомить читателя со всей продукцией рынка памяти невозможно, да и нет необходимости, так как продукция многих фирм не поставляется в нашу страну, да и в своей стране поставляется только фирмам-партнерам. Поэтому мы познакомимся с продукцией только крупнейших или наиболее доступных производителей.
Пожалуй, наибольшую известность и популярность в нашей стране имеет фирма Atmel, являющаяся несомненным мировым лидером по производству различных микросхем с применением Flash-технологий. Микросхемы памяти, выпускаемые этой фирмой, приведены в табл. 2.
Не менее известна на нашем рынке и фирма Dallas Semiconductor, которая совсем недавно стала частью фирмы MAXIM. Фирма Dallas Semiconductor является мировым лидером по производству NV Timekeeping RAM. Это модули, содержащие SRAM, в которой часть ячеек заменена на регистры. В эти регистры автоматически выводятся данные от встроенных часов реального времени (RTC), календаря и т. п. Обычно выпускается либо со встроенной литиевой батарейкой, либо со входом для подключения внешней батарейки, либо с конструктивно совмещенным (в корпусе микросхемы) держателем для внешней батарейки (PwrCAP). Микросхемы TK-SRAM фирмы Dallas приведены в табл. 3.
Кроме этого, фирма Dallas Semiconductor выпускает достаточно большой набор других типов NV-RAM (см. табл. 4).
Большой выбор статической (SRAM), динамической (DRAM) и Flash-памяти предлагает фирма Alliance Semiconductor. Перечень микросхем статической памяти представлен в табл. 5.
SRAM 3,3 V Fast Asynchronous — быстродействующая асинхронная статическая память.
Динамическая память, выпускаемая фирмой Alliance Semiconductor, представлена в табл. 6.
Кроме этого, фирмой Alliance Semiconductor выпускается несколько микросхем Flash-памяти (см. табл. 7).
Достаточно широкий набор асинхронной статической памяти SRAM предлагает фирма Brilliance Semiconductor (табл. 8).
В заключение первой части этой обзорной статьи хотелось бы познакомить читателя с оригинальной продукцией фирмы DPAC Technologies, которая изготавливает ряд интересных аксессуаров для памяти (http://www.dense-pac.com).
Для существенной экономии места на печатной плате выпускается специальная колодка для установки нескольких микросхем памяти одна на одну, так называемый LP-Stacks™ (Leaded Plastic Stacks). Это изделие идеально подходит для широкого круга коммерческих и индустриальных применений. Колодки LP-Stacks™ выпускаются для микросхем SDRAM, DRAM, SRAM, EEPROM, Flash, DDR и FCRAM. Существуют LP-Stacks™ для коммерческого и расширенного температурного диапазона.
Другое оригинальное изделие High-Reliability Ceramic Modules — высоконадежные керамические модули. Это изделие не только экономит место на печатной плате (поскольку в него устанавливается несколько микросхем), но и защищает их от тяжелых условий эксплуатации и климатических воздействий.
Для ускорения разработки новых изделий выпускаются специальные отладочные платы. Они позволяют устанавливать кроме микросхем памяти несколько корпусов микросхем DSP, ASIC, PLD, а также пассивных элементов.
Разработанные фирмой DPAC Technologies устройства для установки микросхем памяти в «этажерки» получили название DDR-технологий. Они запатентованы и стали, фактически, промышленным стандартом. Фирма DPAC Technologies продолжает разрабатывать все новые системы для компактной установки различных типов памяти в «этажерки».
Кроме того, фирма выпускает микросхемы памяти и предлагает их в комплекте с вышеуказанными изделиями (см. табл. 9).
(Продолжение следует)
СОДЕРЖАНИЕ
История
Имеющиеся в продаже массивы памяти OTP на основе полупроводниковых предохранителей существуют, по крайней мере, с 1969 года, при этом начальные разрядные ячейки антипредохранителей зависят от перегорания конденсатора между пересекающимися проводящими линиями. В 1979 году компания Texas Instruments разработала оксидный предохранитель для пробоя МОП-затвора. В 1982 г. был представлен двухтранзисторный (2Т) МОП-антифузор. Первые технологии пробоя оксида демонстрировали множество проблем масштабирования, программирования, размеров и производства, которые препятствовали увеличению объема производство запоминающих устройств на основе этих технологий.
Хотя PROM на основе предохранителей был доступен в течение десятилетий, он не был доступен в стандартной CMOS до 2001 года, когда компания Kilopass Technology Inc. запатентовала технологии битовых ячеек 1T, 2T и 3.5T с использованием стандартного процесса CMOS, что позволило интегрировать PROM в логику. КМОП-чипы. Первый узел процесса антифузия может быть реализован в стандартной КМОП-матрице 0,18 мкм. Так как пробой оксида затвора меньше, чем пробой перехода, не потребовалось специальных шагов по диффузии для создания элемента программирования антипредохранителя. В 2005 году компания Sidense представила противовзрывное устройство с разделенным каналом. Эта битовая ячейка с разделенным каналом объединяет толстые (IO) и тонкие (затвор) оксидные устройства в один транзистор (1T) с общим поликремниевым затвором.
Программирование
В типичном PROM все биты читаются как «1». Сжигание бита предохранителя во время программирования приводит к тому, что бит читается как «0». Память можно запрограммировать только один раз после изготовления путем «перегорания» предохранителей, что является необратимым процессом.
Битовая ячейка программируется путем подачи высоковольтного импульса, не встречающегося при нормальной работе, через затвор и подложку тонкого оксидного транзистора (около 6 В для оксида толщиной 2 нм или 30 МВ / см) для разрушения оксида. между воротами и подложкой. Положительное напряжение на затворе транзистора формирует канал инверсии в подложке под затвором, заставляя туннельный ток течь через оксид. Ток создает дополнительные ловушки в оксиде, увеличивая ток через оксид и в конечном итоге плавя оксид и формируя проводящий канал от затвора к подложке. Ток, необходимый для формирования проводящего канала, составляет около 100 мкА / 100 нм 2, а пробой происходит примерно за 100 мкс или меньше.
Otp memory что это
Глава 8. Программирование OTP чипов
Устройство для записи однократно-программируемых чипов (OTP) фирмы Holtek было специально спроектировано для поддержки линейки OTP МК, позволяя пользователю легко и эффективно программировать такие микропроцессоры. Отличительными особенностями устройства записи являются его малый размер, простота установки и лёгкость использования его функций. Устройство для записи OTP МК встроено во все эмуляторы HT-ICE последней версии, делая их более удобными для разработчика при отладке программы.
Рис. 8-1
Так как устройство записи OTP МК включено в состав HT-ICE, после завершения установки HT-ICE, функции прожига OTP МК готовы к использованию совместно с программой HT-IDE3000 без необходимости установки дополнительного ПО. См. Главу 1 Обзор и установка.
В составе эмулятора HT-ICE поставляется 40-выводная карта адаптера TEXTOOL. Если корпус МК не соответствует карте адаптера, пользователю следует сменить карту адаптера. Дополнительная информация по выбору карт адаптера содержится в технической документации, а также на сайте фирмы Holtek.
Рис. 8-2
Ручное программирование OTP чипов при помощи HT-HandyWriter
Запустите программу HT-HandyWriter, которая находится в разделе Holtek Development System основного программного меню Windows, как показано на Рис. 8-3:
Рис. 8-3
После того, как программа HT-HandyWriter запустится, на экране появится окно, аналогичное показанному на Рис. 8-4, но перед использованием сначала требуется выбрать требуемый порт LPT. При выборе команды «LPT» появится подменю, как показано на Рис. 8-5. Можно выбрать требуемый порт из LPT1, LPT2 или LPT3. Если устройство записи OTP МК интегрировано в HT-ICE, выбирайте тот порт, к которому подсоединён HT-ICE.
Например, если HT-ICE подключен к LPT1, выбирайте LPT1 согласно Рис. 8-5. Если устройство записи OTP МК подключено непосредственно к параллельному порту ПК, аналогичным образом выберите соответствующий LPT порт.
Рис. 8-4
Рис. 8-5
После нажатия кнопок «!Body», [Set Body] появится диалоговое окно, как показано на Рис. 8-6. Если идентификатор типа МК отсутствует в OTP устройстве, все операции записи/чтения будут осуществляться в соответствии с типом МК, выбранным пользователем.
Рис. 8-6
При выборе команды [Option]/Option возникнет выпадающее диалоговое окно, как показано на Рис. 8-7. В нём будут отображены опции, прочитанные из файла либо из самого OTP МК.
С помощью этой команды можно распечатать опции, прочитанные из файла либо из самого OTP МК.
Рис. 8-7
На Рис. 8-4 показаны функции, выполняемые программой HT-HandyWriter. С правой стороны расположено 9 кнопок, каждая из которых выполняет определённую функцию, более подробно рассмотренную ниже:
По этой команде читается содержимое OTP МК и сравнивается с данными, содержащимися в ОЗУ компьютера. Результат сравнения выводится на экран в окне программы HT-HandyWriter.
Проверка на отсутствие записанных данных в памяти OTP МК. Результат проверки выводится на экран в окне программы HT-HandyWriter. Если устройство не стёрто, часть памяти, содержащая данные, будет отображена в окне.
Эта команда осуществляет установку защиты на OTP МК, чтение его содержимого в дальнейшем будет невозможно. Эта инструкция используется для защиты содержимого OTP МК после его программирования.
По этой команде будут прочитаны идентификаторы «power-on ID», «software ID», «ROM size», «option size» из микросхемы и отображены на экране в виде сообщения «Получена информация из чипа» (Get info from chip), оповещающего пользователя, что данная информация прочитана непосредственно из МК. Если информация внутри МК отсутствует, то она будет определяться параметрами команды «!Body». При этом будет отображено сообщение «Получена информация из ini-файла» (Get info from ini), оповещающее пользователя, что данная информация прочитана из системных настроек.
Когда выбрана команда Дублирование/Разрешить ([Duplicate]/Enable), как показано на Рис. 8-10, функция автоматического программирования будет активизирована. После этого можно осуществлять многократное программирование. После того, как будут запрограммированы все чипы, функцию автоматического программирования можно отключить повторным выбором команды Дублирование/Разрешить ([Duplicate]/Enable), как показано на Рис. 8-10.
Рис. 8-8
Рис. 8-9
Рис. 8-10
Функция записи серийных номеров позволяет пользователю записывать уникальный серийный номер в каждый МК.
Серийный номер и его адрес задаются пользователем и записываются, начиная с младшего байта адреса, в программную память чипа. После того, как серийный номер записан в устройство, может быть использована функция автоинкремента, позволяющая увеличивать на 1 серийный номер в каждом последующем программируемом МК. Для этого следует, прежде всего, задать начальные данные и адрес для первого серийного номера. Это осуществляется при помощи команды [S/N]/Setup, после выбора которой появится окно, изображённое на Рис. 8-11, используемое для ввода начального серийного номера и его адреса.
После того, как начальные данные и адрес заданы, следует выбрать команду [S/N]/Enable для активации записи серийных номеров. Когда данная функция активизирована, текущий серийный номер и его адрес отображаются в окне программы внизу справа. В процессе программирования первый из программируемых МК будет содержать предварительно заданные данные по заданному адресу в программной памяти (ПЗУ).
Последующие МК будут содержать серийные номера, увеличенные на единицу на каждое устройство. Для сброса последовательности серийных номеров следует повторно выбрать команду [S/N]/Setup.
Рис. 8-11
Рис. 8-12
Устройство записи OTP МК подключено к порту LPT1.
Возникли проблемы при соединении с программатором OTP МК либо эмулятором HT-ICE.
Программатор OTP МК не поддерживает EV-чип, установленный на HT-ICE. Для корректной работы требуется замена HT-ICE.
Соединение устройства записи OTP МК успешно установлено через HT-ICE.
HT-ICE подсоединён к параллельному порту, но программатор OTP МК не подключен к HT-ICE. Также эта ошибка может возникать при использовании устаревшей версии программатора OTP МК (типа THANDYOTP-A), в этом случае система не сможет установить соединение. В последнем случае, подключайте устройство записи OTP МК непосредственно к ICE.
Идентификатор «power-on ID» в открытом файле равен ADh, идентификатор «software ID» равен 50h.
Открытый файл имеет неверный формат.
Тип OTP МК не совпадает с идентификатором в открытом файле.
Доступный для записи объём ПЗУ в OTP МК равен 400h, содержимое файла имеет размер 800h, таким образом, устройство записи OTP МК может записать в микроконтроллер только 400h данных.
Возникла ошибка при программировании либо верификации. Данные zzzzh по адресу xxxxh в OTP МК не совпадают с данными yyyyh в памяти ПК.
OTP МК не является стёртым, по адресу xxxxh в нём содержатся данные zzzzh, дальнейшее выполнение команд прекращено.
OTP МК, находящийся в устройстве записи, защищён, дальнейшее выполнение команд прекращено.
Что такое чип памяти и как программировать микросхемы
Главная страница » Что такое чип памяти и как программировать микросхемы
Микросхемы разного назначения применяются в составе электроники современной техники. Огромное многообразие такого рода компонентов дополняют микросхемы памяти. Этот вид радиодеталей (среди электронщиков и в народе) зачастую называют просто – чипы. Основное назначение чипов памяти – хранение определённой информации с возможностью внесения (записи), изменения (перезаписи) или полного удаления (стирания) программными средствами. Всеобщий интерес к чипам памяти понятен. Мастерам, знающим как программировать микросхемы памяти, открываются широкие просторы в области ремонта и настройки современных электронных устройств.
О чипах – микросхемах хранения информации
Микросхема памяти — это электронный компонент, внутренняя структура которого способна сохранять (запоминать) внесённые программы, какие-либо данные или одновременно то и другое. По сути, загруженные в чип сведения представляют собой серию команд, состоящих из набора вычислительных единиц микропроцессора.
Следует отметить: чипы памяти всегда являются неотъемлемым дополнением микропроцессоров – управляющих микросхем. В свою очередь микропроцессор является основой электроники любой современной техники.
Набор электронных компонентов на плате современного электронного устройства. Где-то среди этой массы радиодеталей приютился компонент, способный запоминать информацию
Таким образом, микропроцессор управляет работой электронной техники, а чип памяти хранит сведения, необходимые микропроцессору. Программы или данные хранятся в чипе памяти как ряд чисел — нулей и единиц (биты). Один бит может быть представлен логическими нулем (0) либо единицей (1).
В единичном виде обработка битов видится сложной. Поэтому биты объединяются в группы. Шестнадцать бит составляют группу «слов», восемь бит составляют байт — «часть слова», четыре бита — «кусочек слова».
Программным термином для чипов, что используется чаще других, является байт. Это набор из восьми бит, который может принимать от 2 до 8 числовых вариаций, что в общей сложности даёт 256 различных значений.
Для представления байта используется шестнадцатеричная система счисления, где предусматривается использование 16 значений из двух групп:
Поэтому в комбинациях двух знаков шестнадцатеричной системы также укладываются 256 значений (от 00h до FFh). Конечный символ «h» указывает на принадлежность к шестнадцатеричным числам.
Организация микросхем (чипов) памяти
Для 8-битных чипов памяти (наиболее распространенный тип) биты объединяются в байты (8 бит) и сохраняются под определённым «адресом». По назначенному адресу открывается доступ к байтам. Вывод восьми битов адреса доступа осуществляется через восемь портов данных.
Организация структуры запоминающего устройства. На первый взгляд сложный и непонятный алгоритм. Но при желании разобраться, понимание приходит быстро
Например, 8-мегабитный чип серии 27c801 имеет в общей сложности 1048576 байт (8388608 бит). Каждый байт имеет свой собственный адрес, пронумерованный от 00000h до FFFFFh (десятичное значение 0 — 1048575).
Помимо 8-битных чипов памяти, существуют также 16-битные чипы памяти. Есть микросхемы последовательного доступа, характеризуемые как 1-битные и 4-битные чипы памяти. Правда, последние из отмеченных микросхем теперь уже практически не встречаются.
Микросхемы памяти EPROM (серия 27… 27C …)
Термином «EPROM» зашифрована аббревиатурой техническая характеристика микросхем — стираемая программируемая память только читаемая (Erasable Programmable Read Only Memory). Что это значит в деталях?
Одна из модификаций запоминающих устройств, особенность исполнения которой заключается в наличии специального окна. Благодаря этому окну, ультрафиолетом стирается информация
Несмотря на расшифровку куска аббревиатуры – «только для чтения» (Read Only Memory), информация доступна для стирания и перезаписи, но только с помощью программатора. Часть аббревиатуры — «Erasable», сообщает о возможности стирания данных.
Структура чипов серии 27… 27C… поддерживает стирание информации методом воздействия на ячейки хранения интенсивным ультрафиолетовым излучением (длина волны 254 нм). Обозначение аббревиатуры «программируемый» (Programmable) указывает на возможность программирования, когда любая цифровая информация может быть заложена в чип.
Для программирования чипов требуется программатор. К примеру, 27 серия успешно прошивается устройствами «Batronix Eprommer» или «Galep-4».
Программатор микросхем Batronix — эффективный и продуктивный инструмент программирования запоминающих устройств. Поддерживает работу с широким набором чипов, включая 27 серию
Тип памяти серии 27… 27C… сохраняет записанные программатором данные до следующего программирования с функцией стирания или без таковой. Допускается многократное программирование без стирания, при условии изменения битов только от состояния единицы до состояния нуля или имеющих состояние нуль.
Если же требуется запрограммировать чип памяти с изменением бита от состояния нуля до состояния единицы, прежде необходимо применить функцию стирания. Такая функция предусмотрена в конструкциях микросхем.
Конфигурация исполнения серии 27…, 27C..
Микросхемы 27 серии выпускаются с окном из кварцевого стекла для засветки ультрафиолетом или без окна. Конфигурация чипа без окна не поддерживает функцию ультрафиолетового стирания. Такой тип микросхем (без окна) относят к чипам EPROM, которые программируются за один раз. Маркируются чипы как OTP (One Time Programmable) — одноразовое программирование.
Запоминающее программируемое устройство из группы однократно программируемых EPROM (One Time Programmable). В настоящее время редко применяемые
На устройствах с окном после стирания ультрафиолетом и последующего программирования, кварцевое окно закрывают наклейкой. Так защищают данные от возможного повреждения светом.
Солнечные лучи содержат ультрафиолет, а это значит – свет солнца способен стирать информацию, записанную в микросхеме. Правда, чтобы полностью стереть данные солнечным светом, потребуется несколько сотен часов прямого воздействия солнечных лучей.
Также следует отметить особенности EPROM серии 27C… Символ «С» в данном случае указывает на принадлежность чипа к семейству CMOS (Complimentary Metal Oxide Semiconductor) — комплементарный метал-оксидный полупроводник.
Этот вид микросхем памяти отличается сниженной производительностью по отношению к семейству NMOS (N-channel Metal Oxide Semiconductor) — N-канальный метал-оксидный полупроводник.
Кроме того, серия 27C требует меньшего напряжения питания (12,5В). Между тем обе конфигурации исполнения совместимы. Поэтому, к примеру, микросхема 2764 вполне заменима на чип 27C64.
Микросхемы памяти EEPROM серии 28C…
Здесь первое отличие заметно в аббревиатуре типа памяти – EEPROM, что означает электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory).
Построение этой серии практически идентично 27 чипам. Однако 28 серия позволяет стирать отдельные байты или всё пространство памяти электрическим способом, без применения ультрафиолета.
Серия запоминающих устройств, поддерживающая электрический метод стирания информации. Этот вид входит уже в состав группы EEPROM — электрически стираемых постоянных запоминающих устройств
Поскольку отдельные байты можно стереть, не удаляя всю хранимую информацию, эти отдельные байты могут быть перезаписаны. Однако процесс записи EEPROM занимает больше времени, чем программирование EPROM. Разница до нескольких миллисекунд на байт.
Чтобы компенсировать этот недостаток, чипы подобные AT28C256, оснащаются функцией блочного программирования. При таком подходе к программированию, одновременно (блоком) загружаются 64, 128 или 256 байт. Блочный способ сокращает время программирования.
Чипы памяти FLASH EEPROM серии 28F …, 29C …, 29F …
Эти чипы можно стирать электрически — полностью или блоками, а некоторые (подобные AT28C …) могут программироваться блоками.
Между тем Flash-память не всегда применимо использовать в качестве замены обычного чипа. Причины, как правило, заключаются в разной конфигурации корпусного исполнения.
Устройства записи и хранения данных, поддерживающие технологию программирования Flash-memory. Отличаются исполнением корпуса с большим числом контактов (32). Входят в группу EPROM
Простой пример, когда Flash-память доступна только в корпусах на 32 контакта или более. Поэтому, допустим, чип 28F256 на 32 вывода не совместим с чипом 27C256, имеющим 28 контактных выводов. При этом микросхемы имеют одинаковый объём памяти и другие параметры, подходящие для замены.
Чипы EEPROM с последовательным доступом (24C …, 25C …, 93C …)
Микросхемы памяти с последовательным интерфейсом отличаются тем, что вывод данных и наименование имен в них происходят частями (последовательно).
Последовательный процесс позволяет получить доступ только к одному биту за раз, и доступный адрес также передаётся по битам. Но последовательное программирование имеет явное преимущество в плане конфигурации корпусов.
Всего восемь контактных ножек достаточно запоминающему устройству серии 24C и подобным для полноценной работы на запись и хранение данных
Это преимущество успешно используется. Практически все EEPROM последовательного доступа изготавливаются в виде 8-контактных малогабаритных микросхем. Такое исполнение корпуса видится более практичным, удобным.
Запоминающие устройства ОЗУ серии 52 …, 62 …, 48Z …, DS12 …, XS22 …
Аббревиатура ОЗУ (RAM) расшифровывается как «память произвольного доступа» (Random Access Memory). Также микросхемы серии 52 …, 62 … и подобные часто характеризуются «оперативными запоминающими устройствами».
Их отличительные черты – скоростная запись без необходимости предварительного стирания. Здесь видится некоторое преимущество относительно других изделий. Но есть и недостаток – чипы ОЗУ отмеченной и других серий утрачивают все записанные и сохранённые данные при отключении питания.
Однако имеется альтернатива – память NVRAM (Non Volatile Random Access Memory) – энергонезависимая память серий 48, DS, XS и подобная, с произвольным доступом. Этот вид чипов выделяется среди основных преимуществ микросхем RAM высокой скоростью перезаписи и простым программированием. Потеря питания не оказывает влияние на сохранённую информацию.
Устройства записи и хранения информации, которые не боятся отключения питания. Их структура предусматривает эффективную защиту данных
Как же способом достигается энергетическая независимость NVRAM? Оказывается, производителями используются две методики:
Для первого варианта: при отключении питания происходит автоматический переход на внутренний источник энергии. По словам производителей чипов с АКБ, энергии встроенного уникального аккумулятора вполне достаточно на 10 лет работы.
Для второго варианта: технология предусматривает копирование данных пространства памяти NVRAM на встроенное пространство EEPROM. Если утрачивается питание, копия информации остаётся нетронутой и после восстановления энергии, автоматически копируется на NVRAM.
Маркировка и взаимозаменяемость компонентов
Выведенная на корпусе маркировка чипа памяти традиционно содержит:
Также на корпусах нередко отмечаются сведения о производителе. Независимо от производителя, многие микросхемы памяти совместимы.
Маркировка — структура записи на корпусе программируемого устройства, раскрывающая основные сведения, по которым можно подобрать аналог на замену при необходимости
Также микросхемы памяти должны иметь одинаковый размер (объём) и равноценное или меньшее время доступа. Желательно выбирать корпус, подходящий по температурному диапазону. Следует отметить: размер памяти задается в битах, не в байтах. За цифрой объёма обычно следует обозначение версии (например, «F»).
Далее, через дефис, отмечается максимально разрешенная скорость доступа в наносекундах — время задержки между циклами ввода адреса и вывода данных на порты чипа памяти. Время задержки обозначается двумя цифрами (например, «70» соответствует 70 нс, а вот «10» соответствует 100 нс). Наконец, завершают маркировку изделия тип корпуса и допустимый диапазон температур.
Пример расшифровки маркировки микросхемы памяти M27C1001-10F1:
Из практики программирования запоминающих устройств
На видео ниже демонстрируется пример из практики инженера-электронщика, касающийся программирования специальных чипов, наделённых функционалом электрической «памяти»:
При помощи информации: Batronix